12月11日，首届全球IC企业家大会暨第十六届中国国际半导体博览会（IC China2018）在上海开幕。中国青年网记者 暴英霞 摄

　　中国青年网上海12月14日电（记者 张婷 暴英霞）12月11日-13日，首届全球IC企业家大会暨第十六届中国国际半导体博览会（IC China2018）在上海举行。大会以“开放发展 合作共赢”为主题，多个国家和地区的著名企业家、专家学者齐聚上海，共商集成电路产业发展大计。大会期间，中天弘宇公司发布的新一代NOR闪存技术——“中国闪存”，颠覆了传统NOR闪存技术，且具有完全自主知识产权，引起人们广泛关注。

　　推动产业发展 合作共赢是主题

　　60年前集成电路的发明，给人类带来了一次巨大的革命性进步，改变了我们生活的方方面面。在全球资源配置大背景下，我国集成电路产业充分利用全球资源，取得长足发展。如今，随着云计算、大数据、物联网、人工智能、5G的蓬勃发展，集成电路产业迎来新的发展机遇。

　　工业和信息化部副部长罗文在大会致辞中表示，目前我国集成电路产业已经形成了长三角、珠三角、津京环渤海以及中西部地区多极发展的格局，2017年中国集成电路销售收入突破5400亿元。我国是全球主要的电子信息制造业生产基地，在整机系统需求的带动下，我国已经成为全球规模最大、增速最快的集成电路市场，成为全球集成电路发展的主要动力之一。

　　集成电路产业的发展离不开世界的支持，全球集成电路产业的发展也离不开中国的支撑。罗文提出，“开放发展 合作共赢”是全球集成电路产业60年持续发展的宝贵经验，也是我国集成电路产业持续发展的必然选择。他建议，要坚持开放发展，共享机遇；坚持优化环境，共同发展；坚持市场导向，共建生态；坚持融合创新，共享未来。

　　半导体制造属于基础型、平台型产业，对整个集成电路的发展具有极强的带动作用。中国半导体行业协会理事长、中芯国际集成电路制造有限公司董事长周子学认为，半导体产业是一个国际化程度非常高的产业，任何一个国家和地区不可能包打天下，一定是采取开放、包容的姿态，互相取长补短，才能实现共赢互利。

　　在当天的开幕式以及主旨演讲环节，多位行业内的企业家、专家分别就中国芯片产业的发展历程、半导体产业新契机、集成电路企业的机遇和选择等主题进行发言，展示在各自领域的发展成就，为行业发展建言献策。

　　大会除主论坛外，12月12日还举办六场分论坛，包括集成电路设计技术与创新论坛、先进封装技术创新论坛、集成电路产业链创新发展论坛、半导体产业投资与创新论坛、2018年海峡两岸(上海)集成电路产业合作发展论坛、RISC-V创新应用暨开发者论坛，为业内人士搭建了展示与交流的平台。

　　中天弘宇集成电路有限责任公司执行董事长赵泾生在论坛上发布4F2 NOR Flash。中国青年网记者 暴英霞 摄

　　“中国闪存”发布 促进我国储存芯片大步发展

　　在RISC-V创新应用开发者论坛上，中天弘宇公司4F2 NOR Flash新一代闪存亮相，这款被命名为“中国闪存”的技术在半导体领域将NOR闪存技术提高到一个全新的高度，并且企业拥有完全自主知识产权，使我国在存储芯片领域大步发展成为可能。

　　据了解，半导体存储器是一个超过千亿美元的市场，我们使用的手机、电脑等都离不开半导体存储器。作为全球闪存芯片消耗量大国，我国因没有掌握闪存芯片的核心技术，只能在国际市场上“买买买”，缺乏自主性。中天弘宇集成电路有限责任公司执行董事长赵泾生先生在大会上说：“人类在硅晶元芯片领域进行了一项又一项发明创造，犹如打开一个个的‘黑匣子’，除了NOR这个‘黑匣子’以外几乎全被打开了，NOR就是我们进行创新的机会，希望把NOR闪存这扇窗变成一扇门，提高我国芯片的自主性。”

　　有时科技的发明往往出于偶然，在4F2 NOR Flash研发过程中也有这样的故事，2010年，因一位研究人员偶然接错了电路，使研发团队阴差阳错地开启了对NOR的创新之路。经过近十年研发，中天弘宇突破了多年来困扰半导体NOR闪存科技领域的技术瓶颈，最终完成4F2NOR Flash闪存技术的研发，成为一家全面完整拥有4F2NOR Flash闪存核心技术和知识产权的企业。目前，这家总部位于上海、专注于集成电路存储芯片领域的企业已拥有了43项国际专利，尚有20多项专利在申请中，构成较完整的知识产权体系。

　　“中国闪存”的出现，对于目前市场上现有的NOR Flash是一个颠覆性的创新，它使NOR闪存芯片的记忆单元面积达到与NAND闪存一样的理论最小值，继而使芯片总面积和成本只相当于目前NOR闪存的十分之一以下，使得困扰业界多年的瓶颈得以突破。

　　NOR Flash发明人、英特尔前副总裁Dr Stefan Lai认为，这是对他的NOR Flash的革命性创新，意义十分重大。上世纪八十年代，Dr Stefan Lai发明了NOR，随后被产业化，但由于当时NOR无法继续缩小，发展陷入停滞。新一代NOR技术的出现，让他看到新的希望，“我从来没有想过会有新的东西出现，这是对NOR Flash的颠覆性的发现，解决了很多问题。”Dr Stefan Lai在接受记者采访时说。

　　在半导体存储器核心技术领域，NOR闪存技术及NAND闪存技术一直以来都是最为主流的两项，而NOR闪存因为其成本高、存储密度低而在市场上的表现与NAND闪存存在较大差距。那么这款闪存，相较于市场上流行的闪存有哪些独特的优势？

　　赵泾生先生介绍，新一代NOR Flash读取速度更快，稳定性更好，可直接运行程序，且成本更低。此外，这款闪存可进一步走完摩尔定律，使芯片体积越来越小，功能越来越多，价格越来越低。在手机中，因NAND闪存读取速度有限，芯片一般采用NAND闪存加DRAM，若用新一代NOR闪存替代，手机的开机速度就会更快，且成本会更低。例如：在需要快速反应的自动驾驶领域，运用新一代NOR闪存，就能更快地识别路况、障碍物等，更好地保障行车安全。

　　目前中天弘宇已完成1MB NOR的硅验证，并成功流片，2017年开始运用在中天弘宇首颗MCU（微控制单元）产品的设计上，使芯片可在低至1V的电压下工作，低压、低功耗的特性使这款MUC在物联网等应用领域大有可为。

　　“中国闪存”凭借着强大的性能和价格优势，拥有广阔的市场前景，不但可对现有使用传统NOR闪存的产品进行升级换代，还可以1G、2G、4G闪存进入中低端功能手机、智能电视、机顶盒、国产平板等消费类智能等电子产品及汽车市场中。随着进一步研发及工艺的优化，新一代NOR闪存将触及NAND闪存的海量存储芯片市场，并将拓展至人工智能领域。

　　赵泾生先生说：“希望和上下游合作伙伴一起进行制造和工艺攻关，迈出中国闪存更大的一步，提升我国芯片自主化水平。”

　　展会现场。中国青年网记者 暴英霞 摄

　　据了解，大会同期举办的第十六届中国国际半导体博览会（IC China 2018），共设立半导体设计、半导体制造封测、设备材料、创新应用、分立器件、高端芯片和推广应用六大展区，参展企业达200多家，IC设计、IC设备、封装测试、IC制造及IC材料相关产业的创新成果集中亮相展会。

　　本次大会由工业和信息化部、上海市人民政府指导，中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办，北京赛迪会展有限公司、中国电子报社、上海市集成电路行业协会承办。