1. 首先我们知道,光刻的大致流程是,一个晶圆(wafer)(通常直径为300mm)上涂一层光刻胶,然后光线经过一个已经刻有电路图案(pattern)的掩膜版(mask or reTIcle)照射到晶圆上,晶圆上的光刻胶部分感光(对应有图案的部分),接着做后续的溶解光刻胶、蚀刻晶圆等处理。然后再涂一层光刻胶,重复上述步骤几十次,以达到所需要求;
2. 简化结构请看下图。掩膜版和晶圆各自安装在一个运动平台上(reTIcle stage and wafer stage)。光刻时,两者运动到规定的位置,光源打开。光线通过掩膜版后,经过透镜,该透镜能够将电路图案缩小至原来的四分之一,然后投射到晶圆上,使光刻胶部分感光。